在嵌入式设备开发中，通常需要保存一些在断电情况下不易丢失的数据，例如系统配置和用户定制信息等。如果增加额外的ROM IC（例如基于I2C的24C02）会导致额外的PCB空间增大和硬件成本增加，从而降低产品的性价比。如果仅从实用性的角度考虑，在STM32系统中，针对这类应用，我推荐以下两种方法供大家尝试和借鉴。

基于备份寄存器

原理：对于容量较大的MCU系列，它们具有42个16位备份寄存器，而中小容量的微处理器只具有10个16位备份寄存器。以STM32F103C8T6为例，这42个备份寄存器的地址偏移量为: 0x04~0x28, 0x40~0xBC。总共可以存储84个字节的数据。备份寄存器依赖备份电源，当外部的VDD掉电时，只要系统的VBAT能正常存在，备份寄存器的内容可以正常保存下来。

软件编程要点：以一个常见的应用案例为例：

功能初始化：

备份寄存器读出：void BKP_WriteBackupRegister(uint16_t BKP_DR, uint16_t Data)

备份寄存器读出：uint16_t BKP_ReadBackupRegister(uint16_t BKP_DR)

该方法使用简单，清晰，但是由于总共的可以利用的空间少，故该方法只是适合于保存小批量的数据，如穿戴设备中用户的常用配置数据。

基于内部闪存

原理：FLASH 存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器。它分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH，NOR FLASH一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间；而 NAND FLASH 一般应用在大数据量存储的场合，如U 盘以及固态硬盘等，一般都是 NAND FLASH 类型的。

在stm32芯片中，Flash的读写单位都是以“页”为单位的，以STM32F103C8T6为例，它的每页大小为2K bytes;

软件编程要点

读写保护解除：使用这种方法前提是，当前读和写Flash的允许的，假设当前flash已经是允许写的。所以暂时一些关于OptionBytes的操作和Flash的读写保护操作等API暂时不做讨论。

FlashWrite：单个uint32_t数据的写入简易流程如图：

FlashRead：对于单个int数据的读出，比较简单，通过下列语句完成：rdData= (*(__IOuint32_t *)dataAddr);

由于SW介入的API较多，并且有很多的额外的背景知识需要码农去了解，使用该方法，相对比较复杂。但是由于保存数据以页为单位，页的大小可以多达2048bytes，所以该方法可以实用于保存掉电不易失的大数据。考虑到flash读写保护的逻辑机制，该方法最好在不考虑数据的安全性问题前提下，才使用这种方法。

对于诸如此类的掉电保护数据方法，这里仅仅是抛砖引玉，欢迎大家多多提出更好的方案。

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