早期的存储器只能进行一次写操作，后来随着紫外线擦写存储器的问世，它支持了上千次的读写操作。

随着技术的不断发展，闪存的读写速度和次数都在不断提高。如今，即使是最低配置的闪存也能支持十万次的读写操作，而百万次的读写操作已经成为了标准配置。

存储器的价格也随着时间的推移变得越来越亲民，如今基本可以用“白菜价”来形容。因此，现在的MCU内部集成的存储器容量越来越大，性能也越来越高。

在这个背景下，瑞萨RL78系列单片机支持百万次读写的数据闪存（Data Flash）成为了焦点。下面我们来介绍一下其读写方法。

数据闪存（Data Flash）概述

大部分近年推出的MCU基本都提供了供用户编程和使用的Flash，而RL78系列MCU也不例外，其官方称之为数据闪存（Data Flash）。

数据闪存（Data Flash）可以用来存储产品的标定参数、运行数据等信息，这样就可以省去外部存储器件，有效降低了用户的硬件成本。

Data Flash特点：

用户可以基于瑞萨官方提供的库来操作MCU内部的数据闪存。虽然数据闪存仍然以1K字节块为单位，但用户可以按字节进行读写操作。

RL78系列MCU的不同型号拥有不同大小的内部数据闪存，一般在2K到8K字节之间。而每个地址的当前读写次数可达到1,000,000次，并且可以在1.8到5.5伏的电压范围内进行操作。

Data Flash使用说明

Data Flash应用库的下载：

如果你用的是CC-RL编译器，请在如下地址下载应用库和API应用文档：

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-cc-rl-compiler-rl78-family?language=en

如果你用的是CA78K0R编译器，请在如下地址下载应用库和API应用文档：

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-ca78k0r-compiler-rl78-family

（提醒：请复制链接到浏览器下载）

避开MCU内部RAM相关区域：

根据MCU的硬件手册和《Self RAM list of Flash Self-Programming Library for RL78 Family》规定，有些MCU的RAM部分区域不能被数据库使用，因此需要在section设置进行避开，否则编译会出错，不同MCU要求也不尽相同，以R5F100LE为例，闪存库仅能使用RAM FFE00H ～ FF2FFH以外的区域，如下。

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如下是基于R5F100LE在CS+上的具体section配置，以避开相应的区域，其他型号的MCU也可参考。

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Data Flash测试

把RL78闪存库加载到应用工程里，然后调用初始化和读写函数进行数据的操作，当前使用RL78G13硬件板型号是“YRPBRL78G13”。然后在R5F100LE Data Flash的起始地址连续写一串数据“0x11,0x22,0x33, … 0xCC，并把它们读出出来，数据定义以及应用代码如下:

unsigned char Execute_status;    
unsigned char W_DataFla_buff[3]  = {0x11,0x22,0x33};
unsigned char W_DataFla_buff1[3] = {0x44,0x55,0x66};
unsigned char W_DataFla_buff2[3] = {0x77,0x88,0x99};
unsigned char W_DataFla_buff3[3] = {0xAA,0xBB,0xCC}; 
unsigned char R_DataFla_buff[12]; 
unsigned long int address=0x00;
         R_FDL_Init(); 
       Execute_status = R_FDL_BlankCheck(0x00,1024);
        if (Execute_status == 0x1b) 
        {
        R_FDL_Erase(0x00);
        }  
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff[0],3); 
        address+=3;
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff1[0],3); 
        address+=3;
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff2[0],3); 
        address+=3;
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff3[0],3); 
        address+=3;
        Execute_status = R_FDL_Iverify(0x00,1024);
        if (Execute_status == 0x1b) 
        {
                return;   

        }     
        R_FDL_Read(0x00,&R_DataFla_buff[0],12);
        PFDL_Close();

代码在硬件板“YRPBRL78G13”上运行测试结果如下，执行正确。

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