在ON状态下，MOSFET常用Rds来表示，而三极管通常使用饱和Vce来表示。

然而，是否存在反过来的情况，即三极管使用饱和Rce，而MOSFET使用饱和Vds呢？

在三极管的ON状态下，其工作于饱和区，导通电流Ice主要由基极驱动电流Ib和集电极-发射极电压Vce决定。由于基极驱动电流Ib通常不能保持恒定，因此导通电流Ice不能简单地由Vce来确定，因为在饱和状态下，Vce较小，所以一般使用饱和Vce来表示。

对于MOSFET，在ON状态下工作于线性区（类似于三极管的饱和区），导通电流Ids由栅-源电压Vgs和漏-源电压Vds决定。然而，MOSFET的栅-源电压Vgs通常可以保持不变，因此Ids仅受Vds影响，在固定的Vgs条件下，导通阻抗Rds基本保持不变，因此MOSFET采用Rds来表示。

值得注意的是，MOSFET的D（漏极）和S（源极）之间的电流可以双向流动。这正是MOSFET的一个显著优点，在同步整流中消除了DCM（Discontinuous Conduction Mode）的概念，能够实现能量的双向传输，从输入到输出，或者从输出返回到输入。

接下来我们往深入一点来进行讨论。

深入讨论

问：MOS的D和S既然可以互换，那为什么又定义DS呢?

答：对于IC内部的MOS管，制造时肯定是完全对称的，定义D和S的目的是为了讨论电流流向和计算的时候方便。

问：既然定义D和S，它们到底有何区别呢?

答：对于功率MOS，有时候会因为特殊的应用，比如耐压或者别的目的，在NMOS的D端做一个轻掺杂区耐压，此时D、S会有不同。

问：D和S互换之后，MOS表现出来的特性，跟原来有何不同呢？比如Vth、弥勒效应、寄生电容、导通电阻、击穿电压Vds。

答：DS互换后，当Vgs=0时，只要Vds>0.7V管子也可以导通，而换之前不能。当Vgs>Vth时，反型层沟道已形成，互换后两者特性相同。

D和S的确定

我们只是说电流可以从D→S ，也可以从S→D。但是并不意味着：D和S，这两个端子的名字可以互换。

DS沟道的宽度是靠GS电压控制的。当G固定了，谁是S就唯一确定了。

如果将上面确定为S端的认为是D；将原来是D的认为是S，并且给G和这个S施加电压，结果沟道并不变化，仍然是关闭的。

当Vgs没有到达Vth之前，通过驱动电阻R对Cgs充电，这个阶段的模型就是简单的RC充电过程。

当Vgs充到Vth之后，DS导电沟道开始开启，Vd开始剧烈下降。

按照I=C*dV/dt，寄生电容Cgd有电流流过，方向是G→D 。

按照G接点KCL Igd电流将分流IR，大部分驱动电流转向Igd，留下小部分继续流到Cgs。因此，Vgs出现较平坦变化的一小段。这就是miler平台。

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