485接口EMC电路设计方案!

485接口EMC电路设计方案!

今天我将与大家分享有关485接口的EMC检测,希望对从电路设计到相关软件开发的人员都能提供帮助。

三极管电路必懂的几种分析方法!

三极管电路必懂的几种分析方法!

三极管有静态和动态两种工作状态。未加信号时,三极管处于直流工作状态,也称为静态工作状态,此时三极管的各极电流称为静态电流。而在加入交流信号之后,三极管的工作电流被称为动态工作电流,此时三极管处于交流工作状态,即动态状态。

RS485自收发实现方案,典型应用电路及问题经验总结

RS485自收发实现方案,典型应用电路及问题经验总结

RS485具有出色的抗噪性和抗干扰能力,能够实现远距离传输,并支持多点通信,因此在工控行业被广泛选用作串行接口。485标准规定了2线制、半双工、多点通信的电气特性。

单片机 IO 结构示意图?

单片机 IO 结构示意图?

在上方的示意图中,T1代表一个PNP三极管,T2代表一个NPN三极管。最左边展示的是一种称为准双向输出的IO口结构。与准双向输出不同的是,开漏输出去掉了内部的上拉电阻。

MOS管当开关控制时,为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管?

MOS管当开关控制时,为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管?

了解MOS管的开通/关断原理后,我们会发现使用PMOS做上管、NMOS做下管相对更为方便。相比之下,使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计较为复杂,一般情况下并不具备太大意义,因此很少被采用。

几款主流电子电路仿真软件优缺点比较

几款主流电子电路仿真软件优缺点比较

电子电路仿真技术是当今相关专业学习者及从业人员必须掌握的技术之一,它具有诸多优点。首先,电子电路仿真软件通常拥有庞大而全面的电子元器件库以及先进的虚拟仪器和仪表,极大地方便了仿真与测试过程。

MCU产品轻松实现低功耗的几种方法和注意事项

MCU产品轻松实现低功耗的几种方法和注意事项

在处理电池供电产品,特别是那些要求单节电池可持续运行一年甚至几年的场景中,低功耗是一个关键指标。这类产品对平均电流的要求非常低,通常在微安或纳安级别。

高温环境对三极管性能的影响

高温环境对三极管性能的影响

在下方图示的串口RS485电路中,我们可以观察到一种简洁而高效的设计。这一设计的亮点在于其整合了信号管理功能,无需额外的收发分时控制。

MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的?

MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的?

我们应该都清楚,MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层,因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS 和CGD,沟道未形成时,漏源之间也有一个寄生电容CDS,所以考虑寄生电容时,MOSFET 的等效电路就成了图 2 的样子了。

MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的?

MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的?

深入了解MOSFET时,我们意识到其栅极与漏源间隔着绝缘层,这就意味着栅源(GS)和栅漏(GD)间必然存在寄生电容,即CGS和CGD。在沟道尚未形成之前,漏源间亦有寄生电容CDS。因此,在考虑到这些寄生电容的情况下,MOSFET的等效电路便呈现为图 2 所示。然而,在常规的MOSFET数据手册中,这三个寄生电容参数通常是看不到的。手册里提供的参数更多是CISS、COSS和CRSS(如图 1 所展示),这些参数为设计者提供了另一种角度来理解MOSFET的内部电容特性。

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